PR804BA33 Todos los transistores

 

PR804BA33 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PR804BA33

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 149 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.3 V

Carga de compuerta (Qg): 62.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 130 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1513 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0014 Ohm

Empaquetado / Estuche: POWERFET3X3

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PR804BA33 Datasheet (PDF)

0.1. pr804ba33.pdf Size:906K _unikc

PR804BA33
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PR804BA33N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4m @VGS = 10V30V 149AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C149TC = 100 C94IDContinuous Drain Current4TA = 25 C37ATA= 70 C

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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