PR804BA33 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PR804BA33
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 149 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de compuerta (Qg): 62.8 nC
Tiempo de elevación (tr): 130 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1513 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0014 Ohm
Empaquetado / Estuche: POWERFET3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PR804BA33
PR804BA33 Datasheet (PDF)
0.1. pr804ba33.pdf 
Size:906K _unikc
PR804BA33N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4m @VGS = 10V30V 149AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C149TC = 100 C94IDContinuous Drain Current4TA = 25 C37ATA= 70 C
Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
