PR804BA33 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PR804BA33  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 149 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1513 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: POWERFET3X3

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PR804BA33 datasheet

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PR804BA33

PR804BA33 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4m @VGS = 10V 30V 149A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 149 TC = 100 C 94 ID Continuous Drain Current4 TA = 25 C 37 A TA= 70 C

Otros transistores... CI60N120SM, CI72N65, CIM3N150, CIM6N120-220C, CIM6N120-220F, CIM6N120-247, P7515BDB, PM5G8EA, IRF1407, QM0005D, QN4103M6N, ISCNH310P, ISCNH320K, ISCNH325W, ISCNH327P, ISCNH328W, ISCNH339D