PR804BA33 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги PR804BA33. Основные параметры


   Наименование производителя: PR804BA33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 149 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1513 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: POWERFET3X3
 

 Аналог (замена) для PR804BA33

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PR804BA33 даташит

 ..1. Size:906K  unikc
 pr804ba33.pdf pdf_icon

PR804BA33

PR804BA33 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4m @VGS = 10V 30V 149A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 149 TC = 100 C 94 ID Continuous Drain Current4 TA = 25 C 37 A TA= 70 C

Другие MOSFET... CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , 2SK3568 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , ISCNH325W , ISCNH327P , ISCNH328W , ISCNH339D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.