Справочник MOSFET. PR804BA33

 

PR804BA33 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PR804BA33

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 149 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 62.8 nC

Время нарастания (tr): 130 ns

Выходная емкость (Cd): 1513 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0014 Ohm

Тип корпуса: POWERFET3X3

Аналог (замена) для PR804BA33

 

 

PR804BA33 Datasheet (PDF)

..1. pr804ba33.pdf Size:906K _unikc

PR804BA33
PR804BA33

PR804BA33N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4m @VGS = 10V30V 149AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C149TC = 100 C94IDContinuous Drain Current4TA = 25 C37ATA= 70 C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ24N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top