Справочник MOSFET. PR804BA33

 

PR804BA33 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PR804BA33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 149 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1513 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: POWERFET3X3
 

 Аналог (замена) для PR804BA33

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PR804BA33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  unikc
 pr804ba33.pdf pdf_icon

PR804BA33

PR804BA33N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4m @VGS = 10V30V 149AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C149TC = 100 C94IDContinuous Drain Current4TA = 25 C37ATA= 70 C

Другие MOSFET... CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , 5N65 , QM0005D , QN4103M6N , ISCNH310P , ISCNH320K , ISCNH325W , ISCNH327P , ISCNH328W , ISCNH339D .

History: FDD4141-F085 | SUN830DN | RFD16N03LSM | J174 | SM4927BSKC | WMM06N80M3 | SWN7N65D

 

 
Back to Top

 


 
.