PR804BA33 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PR804BA33
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 149 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 62.8 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 1513 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0014 Ohm
Тип корпуса: POWERFET3X3
PR804BA33 Datasheet (PDF)
..1. pr804ba33.pdf Size:906K _unikc
PR804BA33N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4m @VGS = 10V30V 149AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C149TC = 100 C94IDContinuous Drain Current4TA = 25 C37ATA= 70 C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ24N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCE6990D | NCE6990 | NCE6890K | NCE6890 | NCE6802 | NCE65TF360F | NCE65TF360 | NCE65TF360D | NCE65TF180T | NCE65TF180F | NCE65TF180 | NCE65TF180D | NCE65TF130F | NCE65TF130 | NCE65TF130D | NCE65TF099T