QN4103M6N Todos los transistores

QN4103M6N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QN4103M6N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 255 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 996 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: PRPAK5X6

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros