QN4103M6N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: QN4103M6N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 255 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 73.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 45.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 996 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
Тип корпуса: PRPAK5X6
QN4103M6N Datasheet (PDF)
qn4103m6n.pdf
uPI SEMI www.upi-semi.com Power Solutions for TODAY and TOMORROW IS NOW PART OF Please visit our website for more information: www.upi-semi.com The contents of this document are provided in connection with uPI Semiconductor Corp. (uPI) products. uPI makes no representations or warranties with respect to the accuracy or completeness of the contents of this publication and res
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918