ISCPL322D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ISCPL322D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ISCPL322D

ISCPL322D Datasheet (PDF)

..1. Size:308K inchange semiconductor
iscpl322d.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor ISCPL322DFEATURESDrain Current I = -17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 200m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

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Liste

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