ISCPL322D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCPL322D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO252
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ISCPL322D datasheet
iscpl322d.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor ISCPL322D FEATURES Drain Current I = -17A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 200m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.
Otros transistores... ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F , ISCNL343D , ISCNL344D , AO3400A , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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