ISCPL322D Todos los transistores

 

ISCPL322D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISCPL322D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ISCPL322D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  inchange semiconductor
 iscpl322d.pdf pdf_icon

ISCPL322D

isc P-Channel MOSFET Transistor ISCPL322DFEATURESDrain Current I = -17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 200m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Otros transistores... ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F , ISCNL343D , ISCNL344D , RU6888R , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C .

History: KML0D4N20TV | 2SK1582 | NTR4170NT1G

 

 
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