ISCPL322D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ISCPL322D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
ISCPL322D Datasheet (PDF)
..1. Size:308K inchange semiconductor
iscpl322d.pdf
iscpl322d.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor ISCPL322DFEATURESDrain Current I = -17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 200m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
