ISCPL322D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ISCPL322D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для ISCPL322D
ISCPL322D Datasheet (PDF)
iscpl322d.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor ISCPL322DFEATURESDrain Current I = -17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 200m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Другие MOSFET... ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F , ISCNL343D , ISCNL344D , P60NF06 , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C .
History: CRTS095N12N | BSC019N04LS | IRFN9140 | 2SK4091-ZK-E2-AY
History: CRTS095N12N | BSC019N04LS | IRFN9140 | 2SK4091-ZK-E2-AY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600