ISCPL322D - описание и поиск аналогов

 

ISCPL322D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCPL322D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ISCPL322D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCPL322D даташит

 ..1. Size:308K  inchange semiconductor
 iscpl322d.pdf pdf_icon

ISCPL322D

isc P-Channel MOSFET Transistor ISCPL322D FEATURES Drain Current I = -17A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 200m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие MOSFET... ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F , ISCNL343D , ISCNL344D , AO3400A , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C .

History: AOI1N60L | IRF8304M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.