VP2320N1 Todos los transistores

 

VP2320N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VP2320N1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO3

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VP2320N1 datasheet

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VP2320N1

isc P-Channel MOSFET Transistor VP2320N1 FEATURES Drain Current I = -15A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = -200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.4 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Otros transistores... ISCNH345P , ISCNH346F , ISCNL343D , ISCNL344D , ISCPL322D , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , 7N60 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C , WMB128N10T2 , WML07N80M3 , WMM07N80M3 , WMO07N80M3 .

History: SWU6N65K | VS40200AT | VN10KLS | SI2319 | FDB150N10 | VS150N08BT | 2SJ451

 

 

 

 

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