VP2320N1 - описание и поиск аналогов

 

VP2320N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP2320N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для VP2320N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP2320N1 даташит

 ..1. Size:251K  inchange semiconductor
 vp2320n1.pdf pdf_icon

VP2320N1

isc P-Channel MOSFET Transistor VP2320N1 FEATURES Drain Current I = -15A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = -200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.4 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие MOSFET... ISCNH345P , ISCNH346F , ISCNL343D , ISCNL344D , ISCPL322D , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , 7N60 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C , WMB128N10T2 , WML07N80M3 , WMM07N80M3 , WMO07N80M3 .

History: 2SK591 | AOC2403

 

 

 

 

↑ Back to Top
.