Справочник MOSFET. VP2320N1

 

VP2320N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VP2320N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для VP2320N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP2320N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  inchange semiconductor
 vp2320n1.pdf pdf_icon

VP2320N1

isc P-Channel MOSFET Transistor VP2320N1FEATURESDrain Current : I = -15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Другие MOSFET... ISCNH345P , ISCNH346F , ISCNL343D , ISCNL344D , ISCPL322D , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , MMIS60R580P , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , VS3P07C , WMB128N10T2 , WML07N80M3 , WMM07N80M3 , WMO07N80M3 .

 

 
Back to Top

 


 
.