Справочник MOSFET. VP2320N1

 

VP2320N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VP2320N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для VP2320N1

 

 

VP2320N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  inchange semiconductor
vp2320n1.pdf

VP2320N1 VP2320N1

isc P-Channel MOSFET Transistor VP2320N1FEATURESDrain Current : I = -15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top