VS3P07C Todos los transistores

 

VS3P07C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3P07C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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VS3P07C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  vss
 vs3p07c.pdf pdf_icon

VS3P07C

VS3P07CP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD-30V, -37A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V.RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).GHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.S 8 7 6 5Bottom View4 3 2 1DFN3*3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise

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History: WPM2009D | PJF4NA65A | HSL0107 | HSM0026 | STK0602U | IRFL4310PBF | IRFU4510

 

 
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