VS3P07C Todos los transistores

 

VS3P07C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3P07C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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VS3P07C datasheet

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VS3P07C

VS3P07C P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES D -30V, -37A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. S 8 7 6 5 Bottom View 4 3 2 1 DFN3*3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise

Otros transistores... ISCPL322D , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 , VIS30024 , IRLB3034 , WMB128N10T2 , WML07N80M3 , WMM07N80M3 , WMO07N80M3 , WMP07N80M3 , WMK07N80M3 , WMN07N80M3 , WML26N60C4 .

History: VS3640DS | VN0335ND | 2SJ451 | 18N20 | WMK120N04TS

 

 

 

 

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