VS3P07C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS3P07C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
VS3P07C Datasheet (PDF)
vs3p07c.pdf
VS3P07CP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD-30V, -37A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V.RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).GHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.S 8 7 6 5Bottom View4 3 2 1DFN3*3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918