WFD7N65L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WFD7N65L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFD7N65L

WFD7N65L Datasheet (PDF)

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wfd7n65l.pdf

WFD7N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD 7A,650V,R (Max1.38)@V =10VDS(on) GS Low Crss (typical 15pF ) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral Description

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Liste

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