WFD7N65L Todos los transistores

 

WFD7N65L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFD7N65L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WFD7N65L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  winsemi
 wfd7n65l.pdf pdf_icon

WFD7N65L

WFD7N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD 7A,650V,R (Max1.38)@V =10VDS(on) GS Low Crss (typical 15pF ) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral Description

Otros transistores... WMO26N65C4 , WMJ26N65C4 , WML28N60C4 , WMK28N60C4 , WMN28N60C4 , WMM28N60C4 , WMJ28N60C4 , WFD2N65L , IRFP260N , WFF2N65L , WFF5N65L , WFF8N65L , WFJ5N65B , WFU2N65L , WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 .

History: NCE60R360 | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | ZXMC3A16DN8 | IPN70R360P7S

 

 
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