WFD7N65L Todos los transistores

 

WFD7N65L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFD7N65L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.38 Ohm

Encapsulados: TO252

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WFD7N65L datasheet

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WFD7N65L

WFD7N65L Product Description Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features D 7A,650V,R (Max1.38 )@V =10V DS(on) GS Low Crss (typical 15pF ) Fast Switching Capability G 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) S General Description

Otros transistores... WMO26N65C4 , WMJ26N65C4 , WML28N60C4 , WMK28N60C4 , WMN28N60C4 , WMM28N60C4 , WMJ28N60C4 , WFD2N65L , IRLZ44N , WFF2N65L , WFF5N65L , WFF8N65L , WFJ5N65B , WFU2N65L , WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 .

History: WMM053NV8HGS | CJAC100SN08U | WMP15N65C2 | WMM10N70C4 | WMM25N80M3

 

 

 

 

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