WFD7N65L - описание и поиск аналогов

 

WFD7N65L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFD7N65L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WFD7N65L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD7N65L даташит

 ..1. Size:345K  winsemi
 wfd7n65l.pdf pdf_icon

WFD7N65L

WFD7N65L Product Description Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features D 7A,650V,R (Max1.38 )@V =10V DS(on) GS Low Crss (typical 15pF ) Fast Switching Capability G 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) S General Description

Другие MOSFET... WMO26N65C4 , WMJ26N65C4 , WML28N60C4 , WMK28N60C4 , WMN28N60C4 , WMM28N60C4 , WMJ28N60C4 , WFD2N65L , IRLZ44N , WFF2N65L , WFF5N65L , WFF8N65L , WFJ5N65B , WFU2N65L , WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 .

History: CS740A0H | BFD88

 

 

 

 

↑ Back to Top
.