Справочник MOSFET. WFD7N65L

 

WFD7N65L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFD7N65L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WFD7N65L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD7N65L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  winsemi
 wfd7n65l.pdf pdf_icon

WFD7N65L

WFD7N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD 7A,650V,R (Max1.38)@V =10VDS(on) GS Low Crss (typical 15pF ) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral Description

Другие MOSFET... WMO26N65C4 , WMJ26N65C4 , WML28N60C4 , WMK28N60C4 , WMN28N60C4 , WMM28N60C4 , WMJ28N60C4 , WFD2N65L , IRFP260N , WFF2N65L , WFF5N65L , WFF8N65L , WFJ5N65B , WFU2N65L , WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 .

History: TMA8N60H | WMP80R1K5S | DG4N65-TO262 | AP9977GM-HF | IRFH7084PBF | STH310N10F7-2 | IRFZ34NP

 

 
Back to Top

 


 
.