WFJ5N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFJ5N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.3 nC
Tiempo de subida (tr): 49 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFJ5N65B
WFJ5N65B Datasheet (PDF)
wfj5n65b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WFJ5N65BWFJ5N65BWFJ5N65BWFJ5N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,650V,R (Max2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical13.3nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: WMN07N100C2