Справочник MOSFET. WFJ5N65B

 

WFJ5N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFJ5N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для WFJ5N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFJ5N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  winsemi
 wfj5n65b.pdf pdf_icon

WFJ5N65B

WFJ5N65BWFJ5N65BWFJ5N65BWFJ5N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,650V,R (Max2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical13.3nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Другие MOSFET... WMN28N60C4 , WMM28N60C4 , WMJ28N60C4 , WFD2N65L , WFD7N65L , WFF2N65L , WFF5N65L , WFF8N65L , IRF3710 , WFU2N65L , WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 , WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 .

History: DMT10N60 | SI2301BDS-T1-GE3 | SMF2N60 | HYG082N03LR1C1 | SWI1N60 | AP10N10K

 

 
Back to Top

 


 
.