TX15N10B Todos los transistores

 

TX15N10B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TX15N10B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO252

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TX15N10B datasheet

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TX15N10B

TX15N10B N channel 100V MOSFET Description Features The TX15N10B is the N-Channel logic enhancement VDS 100V mode power field effect transistorsare produced using high cell RDS(on)Max. 100m density, DMOS trench technology.This high density process ID 15A isespecially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for lowvoltage application such Sup

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History: LSC65R290HF | WMN90R360S | SFS15R065KNF | HY3906P

 

 

 

 

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