Справочник MOSFET. TX15N10B

 

TX15N10B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TX15N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
   Время нарастания (tr): 33 ns
   Выходная емкость (Cd): 58 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для TX15N10B

 

 

TX15N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1154K  xds
 tx15n10b.pdf

TX15N10B TX15N10B

TX15N10BN channel 100V MOSFETDescription FeaturesThe TX15N10B is the N-Channel logic enhancementVDS 100Vmode power field effect transistorsare produced using high cellRDS(on)Max. 100mdensity, DMOS trench technology.This high density processID 15Aisespecially tailored to minimize on-state resistance.Thesedevices are particularly suited for lowvoltage application such Sup

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top