TX15N10B - описание и поиск аналогов

 

TX15N10B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TX15N10B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TX15N10B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TX15N10B даташит

 ..1. Size:1154K  xds
 tx15n10b.pdf pdf_icon

TX15N10B

TX15N10B N channel 100V MOSFET Description Features The TX15N10B is the N-Channel logic enhancement VDS 100V mode power field effect transistorsare produced using high cell RDS(on)Max. 100m density, DMOS trench technology.This high density process ID 15A isespecially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for lowvoltage application such Sup

Другие MOSFET... WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 , WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , IRFP250N , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.