Справочник MOSFET. TX15N10B

 

TX15N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TX15N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TX15N10B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TX15N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1154K  xds
 tx15n10b.pdf pdf_icon

TX15N10B

TX15N10BN channel 100V MOSFETDescription FeaturesThe TX15N10B is the N-Channel logic enhancementVDS 100Vmode power field effect transistorsare produced using high cellRDS(on)Max. 100mdensity, DMOS trench technology.This high density processID 15Aisespecially tailored to minimize on-state resistance.Thesedevices are particularly suited for lowvoltage application such Sup

Другие MOSFET... WTM2300 , WTM2301 , WTM2302 , WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , AON7408 , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK .

History: SQJ148EP | RUM003N02T2L | AO4926 | NTGS5120PT1G | 2SK1294 | IRFS241 | SWI4N70K

 

 
Back to Top

 


 
.