TX40N06B Todos los transistores

 

TX40N06B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TX40N06B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 typ Ohm

Encapsulados: TO252

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TX40N06B datasheet

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TX40N06B

TX40N06B N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FE ATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.025 at VGS = 10 V 35 60 81 nC 0.030 at VGS = 4.5 V 32 APPLICAT IONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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History: WMLL014N06HG4

 

 

 

 

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