TX40N06B Todos los transistores

 

TX40N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TX40N06B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 171 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

TX40N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1932K  xds
 tx40n06b.pdf pdf_icon

TX40N06B

TX40N06BN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFE ATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.025 at VGS = 10 V 3560 81 nC0.030 at VGS = 4.5 V 32APPLICAT IONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT

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History: PTS4842

 

 
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