TX40N06B - аналоги и даташиты транзистора

 

TX40N06B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TX40N06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TX40N06B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TX40N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1932K  xds
 tx40n06b.pdf pdf_icon

TX40N06B

TX40N06BN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFE ATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.025 at VGS = 10 V 3560 81 nC0.030 at VGS = 4.5 V 32APPLICAT IONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие MOSFET... WTM2301 , WTM2302 , WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , 7N65 , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 .

History: 2N5670

 

 
Back to Top

 


 
.