TX40N06B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TX40N06B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 171 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 1725 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
TX40N06B Datasheet (PDF)
..1. Size:1932K xds
tx40n06b.pdf
tx40n06b.pdf
TX40N06BN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFE ATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.025 at VGS = 10 V 3560 81 nC0.030 at VGS = 4.5 V 32APPLICAT IONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
