XG65T125PS1B Todos los transistores

 

XG65T125PS1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XG65T125PS1B
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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XG65T125PS1B Datasheet (PDF)

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XG65T125PS1B

XG65T125PS1B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 125 mg DS(on) DS(on), typ Low switching lossQ 12.5 nCG, typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 38 nCRR, typApplications Power adapters Tele

 9.1. Size:2046K  cn xinguan
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XG65T125PS1B

XG65T230PS1B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 230 mg DS(on) DS(on), typ Low switching lossQ 12.5 nCG, typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 38 nCRR, typApplications Power adapters Tele

Otros transistores... WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , 2N7000 , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G .

History: MS23P25 | IXFB82N60P | CS4J60A3-G

 

 
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