XG65T125PS1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XG65T125PS1B
Tipo de FET: GaN
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: TO220
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XG65T125PS1B datasheet
xg65t125ps1b.pdf
XG65T125PS1B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 125 m g DS(on) DS(on), typ Low switching loss Q 12.5 nC G, typ RoHS compliant and Halogen-free Q 38 nC RR, typ Applications Power adapters Tele
xg65t230ps1b.pdf
XG65T230PS1B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 230 m g DS(on) DS(on), typ Low switching loss Q 12.5 nC G, typ RoHS compliant and Halogen-free Q 38 nC RR, typ Applications Power adapters Tele
Otros transistores... WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , AON7408 , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G .
History: WSF40N10A
History: WSF40N10A
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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