Справочник MOSFET. XG65T125PS1B

 

XG65T125PS1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: XG65T125PS1B
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для XG65T125PS1B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XG65T125PS1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1733K  cn xinguan
 xg65t125ps1b.pdf pdf_icon

XG65T125PS1B

XG65T125PS1B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 125 mg DS(on) DS(on), typ Low switching lossQ 12.5 nCG, typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 38 nCRR, typApplications Power adapters Tele

 9.1. Size:2046K  cn xinguan
 xg65t230ps1b.pdf pdf_icon

XG65T125PS1B

XG65T230PS1B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 230 mg DS(on) DS(on), typ Low switching lossQ 12.5 nCG, typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 38 nCRR, typApplications Power adapters Tele

Другие MOSFET... WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , 2N7000 , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G .

History: IRLML5203PBF-1 | IPS60R2K1CE | ME3920-G

 

 
Back to Top

 


 
.