XG65T125PS1B - описание и поиск аналогов

 

XG65T125PS1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: XG65T125PS1B

Тип транзистора: GaN

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для XG65T125PS1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XG65T125PS1B даташит

 ..1. Size:1733K  cn xinguan
 xg65t125ps1b.pdf pdf_icon

XG65T125PS1B

XG65T125PS1B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 125 m g DS(on) DS(on), typ Low switching loss Q 12.5 nC G, typ RoHS compliant and Halogen-free Q 38 nC RR, typ Applications Power adapters Tele

 9.1. Size:2046K  cn xinguan
 xg65t230ps1b.pdf pdf_icon

XG65T125PS1B

XG65T230PS1B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 230 m g DS(on) DS(on), typ Low switching loss Q 12.5 nC G, typ RoHS compliant and Halogen-free Q 38 nC RR, typ Applications Power adapters Tele

Другие MOSFET... WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , AON7408 , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G .

History: SSH8N90A | WM02N08G | WML90R500S | 2SK2381 | TK4R3A06PL | BLV108 | STB80NF03L-04

 

 

 

 

↑ Back to Top
.