XGP6508B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: XGP6508B
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET XGP6508B

XGP6508B Datasheet (PDF)

..1. Size:1452K cn xinguan
xgp6508b.pdf

XGP6508B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 150 mg DS(on) DS(on),max Low switching lossQ 22 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 65 nCRR TypApplications Telecom and datacom Industri

9.1. Size:1597K cn xinguan
xgp6510b.pdf

XGP6510B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent gate charge x R product (FOM) R 150 mDS(on) DS(on),max Low switching lossQ 21 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 42 nCrr TypApplications Telecom and datacom

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFSZ34

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: