XGP6508B Todos los transistores

 

XGP6508B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XGP6508B

Tipo de FET: GaN

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO220

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XGP6508B datasheet

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XGP6508B

XGP6508B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 150 m g DS(on) DS(on),max Low switching loss Q 22 nC G Typ RoHS compliant and Halogen-free Q 65 nC RR Typ Applications Telecom and datacom Industri

 9.1. Size:1597K  cn xinguan
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XGP6508B

XGP6510B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent gate charge x R product (FOM) R 150 m DS(on) DS(on),max Low switching loss Q 21 nC G Typ RoHS compliant and Halogen-free Q 42 nC rr Typ Applications Telecom and datacom

Otros transistores... WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , STP75NF75 , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G .

History: IXFB170N30P | APT50M80LVFR

 

 

 

 

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