XGP6508B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XGP6508B
Tipo de FET: GaN
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.62(typ) VQgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
XGP6508B Datasheet (PDF)
xgp6508b.pdf

XGP6508B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 150 mg DS(on) DS(on),max Low switching lossQ 22 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 65 nCRR TypApplications Telecom and datacom Industri
xgp6510b.pdf

XGP6510B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent gate charge x R product (FOM) R 150 mDS(on) DS(on),max Low switching lossQ 21 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 42 nCrr TypApplications Telecom and datacom
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History: KRF2805S | FTK138 | TMPF5N50SG | AP60N03GH | SIHFI530G | PHP6N60E
History: KRF2805S | FTK138 | TMPF5N50SG | AP60N03GH | SIHFI530G | PHP6N60E



Liste
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