Справочник MOSFET. XGP6508B

 

XGP6508B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: XGP6508B
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для XGP6508B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XGP6508B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1452K  cn xinguan
 xgp6508b.pdf pdf_icon

XGP6508B

XGP6508B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 150 mg DS(on) DS(on),max Low switching lossQ 22 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 65 nCRR TypApplications Telecom and datacom Industri

 9.1. Size:1597K  cn xinguan
 xgp6510b.pdf pdf_icon

XGP6508B

XGP6510B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent gate charge x R product (FOM) R 150 mDS(on) DS(on),max Low switching lossQ 21 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 42 nCrr TypApplications Telecom and datacom

Другие MOSFET... WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , 12N60 , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G .

History: IRF733FI

 

 
Back to Top

 


 
.