XGP6508B - описание и поиск аналогов

 

XGP6508B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: XGP6508B

Тип транзистора: GaN

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для XGP6508B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XGP6508B даташит

 ..1. Size:1452K  cn xinguan
 xgp6508b.pdf pdf_icon

XGP6508B

XGP6508B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 150 m g DS(on) DS(on),max Low switching loss Q 22 nC G Typ RoHS compliant and Halogen-free Q 65 nC RR Typ Applications Telecom and datacom Industri

 9.1. Size:1597K  cn xinguan
 xgp6510b.pdf pdf_icon

XGP6508B

XGP6510B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent gate charge x R product (FOM) R 150 m DS(on) DS(on),max Low switching loss Q 21 nC G Typ RoHS compliant and Halogen-free Q 42 nC rr Typ Applications Telecom and datacom

Другие MOSFET... WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , STP75NF75 , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.