XGP6510B Todos los transistores

 

XGP6510B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XGP6510B
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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XGP6510B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1597K  cn xinguan
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XGP6510B

XGP6510B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent gate charge x R product (FOM) R 150 mDS(on) DS(on),max Low switching lossQ 21 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 42 nCrr TypApplications Telecom and datacom

 9.1. Size:1452K  cn xinguan
 xgp6508b.pdf pdf_icon

XGP6510B

XGP6508B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 150 mg DS(on) DS(on),max Low switching lossQ 22 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 65 nCRR TypApplications Telecom and datacom Industri

Otros transistores... WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , K4145 , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G .

History: WVM30N10 | SWF20N65K | RE1C002UN | SSP7481P | SI2319DS-T1-GE3 | WVM15N20

 

 
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