XGP6510B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: XGP6510B
Тип транзистора: GaN
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для XGP6510B
XGP6510B Datasheet (PDF)
xgp6510b.pdf

XGP6510B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent gate charge x R product (FOM) R 150 mDS(on) DS(on),max Low switching lossQ 21 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 42 nCrr TypApplications Telecom and datacom
xgp6508b.pdf

XGP6508B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 150 mg DS(on) DS(on),max Low switching lossQ 22 nCG Typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 65 nCRR TypApplications Telecom and datacom Industri
Другие MOSFET... WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , K4145 , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G .
History: SLP7N80C | NTMSD6N303R2 | AONP36336 | 2SK4103 | CS2N60F
History: SLP7N80C | NTMSD6N303R2 | AONP36336 | 2SK4103 | CS2N60F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet