YWNM6001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YWNM6001
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de YWNM6001 MOSFET
YWNM6001 Datasheet (PDF)
ywnm6001.pdf

YWNM6001SOT-23Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NChannel 1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.ESD Protected2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Otros transistores... WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , K4145 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G .
History: 80N10 | LSH80R680GT | IPA60R120C7 | APTM120U10SCAVG
History: 80N10 | LSH80R680GT | IPA60R120C7 | APTM120U10SCAVG



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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