YWNM6001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: YWNM6001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
YWNM6001 Datasheet (PDF)
ywnm6001.pdf

YWNM6001SOT-23Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NChannel 1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.ESD Protected2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: JCS86N25ABT | MDF13N50BTH | SPD18P06PG | STP50N05LFI | FQD2N90TF | HM7002KDW | MTB03N03H8
History: JCS86N25ABT | MDF13N50BTH | SPD18P06PG | STP50N05LFI | FQD2N90TF | HM7002KDW | MTB03N03H8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent