YWNM6001 - описание и поиск аналогов

 

YWNM6001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YWNM6001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YWNM6001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YWNM6001 даташит

 ..1. Size:579K  cn yenji elec
 ywnm6001.pdf pdf_icon

YWNM6001

YWNM6001 SOT-23 Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N Channel 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. ESD Protected 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Другие MOSFET... WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , TX50N06 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , IRF9540N , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G .

History: SI1016X | SI3134KDW | WSF40N10A | SWU16N70K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.