SPA22N65G Todos los transistores

 

SPA22N65G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPA22N65G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPA22N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  cn sinai power
 spa22n65g.pdf pdf_icon

SPA22N65G

SPA22N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=22A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 0.28 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 160 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 31 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 52 gd ROHS compliant Configuration single

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTP5411NG | SI3585DV-T1 | BLF7G24LS-100 | IRF7316QPBF | FQU1N50TU | WSC5N20A | SST202

 

 
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