SPA22N65G Todos los transistores

 

SPA22N65G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPA22N65G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO247

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SPA22N65G datasheet

 ..1. Size:959K  cn sinai power
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SPA22N65G

SPA22N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=22A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 0.28 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 160 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 31 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 52 gd ROHS compliant Configuration single

Otros transistores... XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , K3569 , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G .

History: HFP75N80C | 2SK1254S

 

 

 

 

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