SPA22N65G - описание и поиск аналогов

 

SPA22N65G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPA22N65G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPA22N65G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA22N65G даташит

 ..1. Size:959K  cn sinai power
 spa22n65g.pdf pdf_icon

SPA22N65G

SPA22N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=22A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 0.28 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 160 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 31 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 52 gd ROHS compliant Configuration single

Другие MOSFET... XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , K3569 , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.