SPA24N50G Todos los transistores

 

SPA24N50G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPA24N50G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 472 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO247

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SPA24N50G datasheet

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SPA24N50G

SPA24N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 500 DS J ID=24A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 0.2 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 160 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 53 gd ROHS compliant Configuration single A

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