Справочник MOSFET. SPA24N50G

 

SPA24N50G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA24N50G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 472 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPA24N50G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA24N50G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1014K  cn sinai power
 spa24n50g.pdf pdf_icon

SPA24N50G

SPA24N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 500 DS J ID=24A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 0.2 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 160 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 53 gd ROHS compliant Configuration single A

Другие MOSFET... XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , 8205A , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G .

History: AS3423B | CS250

 

 
Back to Top

 


 
.