SPA24N50G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SPA24N50G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 472 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPA24N50G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SPA24N50G даташит
spa24n50g.pdf
SPA24N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 500 DS J ID=24A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 0.2 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 160 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 53 gd ROHS compliant Configuration single A
Другие MOSFET... XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , IRFP260 , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G .
History: IRF3305PBF | AOD3N40 | NVTFS5826NL | NTJS4151P | WM02P18F | SWT38N65K2 | AP2320GN-HF
History: IRF3305PBF | AOD3N40 | NVTFS5826NL | NTJS4151P | WM02P18F | SWT38N65K2 | AP2320GN-HF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640

