Справочник MOSFET. SPA24N50G

 

SPA24N50G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA24N50G
   Маркировка: 24N50G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 118 nC
   trⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 472 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA24N50G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1014K  cn sinai power
 spa24n50g.pdf pdf_icon

SPA24N50G

SPA24N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 500 DS J ID=24A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 0.2 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 160 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 53 gd ROHS compliant Configuration single A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SP8M3-TB | SPA03N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.