SPA65R38G Todos los transistores

 

SPA65R38G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPA65R38G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TO247

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SPA65R38G datasheet

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SPA65R38G

SPA65R38G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m ) V =10V 38 DS(on) GS ID=69A(Vgs=10V) Q max. (nC) 250 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 33 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 65 gd RoHS Compliant Configu

 8.1. Size:796K  cn sinai power
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SPA65R38G

SPA65R72G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=47A(Vgs=10V) R max. at 25oC (m ) V =10V 72 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 130 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs RoHS compliant Q (nC) 34 gd Configuration single Applications Switching

Otros transistores... XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , 4435 , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G .

History: NTLGD3502N | WSF50N10 | IXFA10N60P | BLV1N60A | WMM020N10HGS

 

 

 

 

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