SPA65R38G - описание и поиск аналогов

 

SPA65R38G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPA65R38G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPA65R38G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA65R38G даташит

 ..1. Size:690K  cn sinai power
 spa65r38g.pdf pdf_icon

SPA65R38G

SPA65R38G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m ) V =10V 38 DS(on) GS ID=69A(Vgs=10V) Q max. (nC) 250 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 33 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 65 gd RoHS Compliant Configu

 8.1. Size:796K  cn sinai power
 spa65r72g.pdf pdf_icon

SPA65R38G

SPA65R72G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=47A(Vgs=10V) R max. at 25oC (m ) V =10V 72 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 130 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs RoHS compliant Q (nC) 34 gd Configuration single Applications Switching

Другие MOSFET... XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , 4435 , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G .

History: IXFA10N60P | WSF50N10 | WMM020N10HGS | NTLGD3502N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.