SPC16N65G Todos los transistores

 

SPC16N65G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPC16N65G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de SPC16N65G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPC16N65G datasheet

 ..1. Size:1758K  cn sinai power
 spc16n65g.pdf pdf_icon

SPC16N65G

SPC16N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET Features TO-220F BVDSS 700V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.54 )@VGS=10V ID 16A Low Gate Charge (Typ 67nC) RDS(ON) 0.54 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Otros transistores... 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , 13N50 , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G .

History: APM9410 | ME25N06-G | TMP2N65AZ | B1M160120HC | ME2612 | SFS08R08BF | TMP3N50Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.