SPC16N65G - описание и поиск аналогов

 

SPC16N65G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPC16N65G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SPC16N65G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC16N65G даташит

 ..1. Size:1758K  cn sinai power
 spc16n65g.pdf pdf_icon

SPC16N65G

SPC16N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET Features TO-220F BVDSS 700V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.54 )@VGS=10V ID 16A Low Gate Charge (Typ 67nC) RDS(ON) 0.54 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , 13N50 , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G .

History: SE15N50FRA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.