Справочник MOSFET. SPC16N65G

 

SPC16N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPC16N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SPC16N65G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC16N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1758K  cn sinai power
 spc16n65g.pdf pdf_icon

SPC16N65G

SPC16N65GSinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET Features TO-220F BVDSS : 700V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.54)@VGS=10V ID : 16A Low Gate Charge (Typ 67nC) RDS(ON) : 0.54 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , TK10A60D , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G .

History: DMN6069SE | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | 2SK1976 | CS10N65FA9HD | 2SK2144 | TPC8126

 

 
Back to Top

 


 
.