SPC18N50G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPC18N50G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SPC18N50G datasheet
spc18n50g.pdf
SPC18N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=18A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 0.30 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 88 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 21 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 28 gd ROHS compliant Configuration single Ap
Otros transistores... 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , AON7410 , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G .
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