SPC18N50G Todos los transistores

 

SPC18N50G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPC18N50G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SPC18N50G Datasheet (PDF)

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SPC18N50G

SPC18N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=18A(Vgs=10V)R max. at 25oC () V =10V 0.30 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 88 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 21 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 28 gd ROHS compliant Configuration single Ap

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History: STD10PF06-1 | 2P980A | STE30NK90Z | FQD13N06LTF | PHN210T | AM4812 | AP50WN1K5I

 

 
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