Справочник MOSFET. SPC18N50G

 

SPC18N50G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPC18N50G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SPC18N50G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC18N50G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  cn sinai power
 spc18n50g.pdf pdf_icon

SPC18N50G

SPC18N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=18A(Vgs=10V)R max. at 25oC () V =10V 0.30 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 88 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 21 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 28 gd ROHS compliant Configuration single Ap

Другие MOSFET... 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , RFP50N06 , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G .

History: SHD225505B | STS8205 | IRLML5203PBF-1 | IPB60R120P7 | UPA1951 | UPA2731T1A | STB19NB20-1

 

 
Back to Top

 


 
.