SPC18N50G - описание и поиск аналогов

 

SPC18N50G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPC18N50G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SPC18N50G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC18N50G даташит

 ..1. Size:916K  cn sinai power
 spc18n50g.pdf pdf_icon

SPC18N50G

SPC18N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=18A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 0.30 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 88 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 21 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 28 gd ROHS compliant Configuration single Ap

Другие MOSFET... 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , AON7410 , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.