SPB65R180G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPB65R180G
Código: 65R180G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 341 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 69 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SPB65R180G Datasheet (PDF)
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SPC65R180G,SPB65R180G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 180 DS(on) GS ID=20A(Vgs=10V) Q max. (nC) 75 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 17 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 26 gd RoHS Compli
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