Справочник MOSFET. SPB65R180G

 

SPB65R180G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB65R180G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SPB65R180G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB65R180G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:826K  cn sinai power
 spc65r180g spb65r180g.pdf pdf_icon

SPB65R180G

SPC65R180G,SPB65R180G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 180 DS(on) GS ID=20A(Vgs=10V) Q max. (nC) 75 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 17 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 26 gd RoHS Compli

Другие MOSFET... SPA65R72G , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , AON7506 , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G .

History: HM30N03K | ATM2302BNSA | IPD50N06S2L-13 | EV3407 | P1604ED | SQ1912EEH | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.