SPE65R360G Todos los transistores

 

SPE65R360G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPE65R360G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO251

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SPE65R360G datasheet

 ..1. Size:718K  cn sinai power
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SPE65R360G

Otros transistores... SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , IRF530 , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G .

History: EMB12N04V | APM7336K | HIRF730 | R5011ANX | WTN9435 | OSG70R750DF

 

 

 

 

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