SPE65R360G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPE65R360G
Código: 65R360G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 101 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 24 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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SPE65R360G Datasheet (PDF)
spc65r360g spe65r360g spd65r360g.pdf
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SPC65R360G,SPE65R360G,SPD65R360G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 360 DS(on) GS ID=11.5A(Vgs=10V) Q max. (nC) 30 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 8.5 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 7.5 gd
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