SPE65R360G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPE65R360G
Маркировка: 65R360G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 101 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SPE65R360G
SPE65R360G Datasheet (PDF)
..1. Size:718K cn sinai power
spc65r360g spe65r360g spd65r360g.pdf
spc65r360g spe65r360g spd65r360g.pdf
SPC65R360G,SPE65R360G,SPD65R360G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 360 DS(on) GS ID=11.5A(Vgs=10V) Q max. (nC) 30 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 8.5 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 7.5 gd
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AP03N70J-A-HF | DMJ70H1D0SV3
