SPC9N50G Todos los transistores

 

SPC9N50G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPC9N50G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPC9N50G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4058K  cn sinai power
 spc9n50g.pdf pdf_icon

SPC9N50G

SPC9N50GSinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J A(Vgs=10V) ID 9 oR typ. at 25 C () V =10V 0.64 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 31.5 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd ROHS compliant Configuration sing

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2931 | FQPF13N50C

 

 
Back to Top

 


 
.