SPC9N50G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPC9N50G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SPC9N50G datasheet
spc9n50g.pdf
SPC9N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J A(Vgs=10V) ID 9 o R typ. at 25 C ( ) V =10V 0.64 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 31.5 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd ROHS compliant Configuration sing
Otros transistores... SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , STP80NF70 , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 .
History: NTLJS4114N | ME3205T | MTP15N05 | 2SK1941 | OSG65R1K4PF | MTA50P01SN3
History: NTLJS4114N | ME3205T | MTP15N05 | 2SK1941 | OSG65R1K4PF | MTA50P01SN3
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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