SPC9N50G Todos los transistores

 

SPC9N50G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPC9N50G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SPC9N50G Datasheet (PDF)

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 spc9n50g.pdf pdf_icon

SPC9N50G

SPC9N50GSinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J A(Vgs=10V) ID 9 oR typ. at 25 C () V =10V 0.64 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 31.5 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd ROHS compliant Configuration sing

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History: SI8810 | CEDM7001VL | STD10PF06-1 | PM557BA | IRFPE30PBF | CED12N10L

 

 
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