SPC9N50G - описание и поиск аналогов

 

SPC9N50G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPC9N50G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SPC9N50G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC9N50G даташит

 ..1. Size:4058K  cn sinai power
 spc9n50g.pdf pdf_icon

SPC9N50G

SPC9N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J A(Vgs=10V) ID 9 o R typ. at 25 C ( ) V =10V 0.64 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 31.5 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd ROHS compliant Configuration sing

Другие MOSFET... SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , STP80NF70 , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.