Справочник MOSFET. SPC9N50G

 

SPC9N50G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPC9N50G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SPC9N50G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC9N50G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4058K  cn sinai power
 spc9n50g.pdf pdf_icon

SPC9N50G

SPC9N50GSinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J A(Vgs=10V) ID 9 oR typ. at 25 C () V =10V 0.64 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 31.5 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd ROHS compliant Configuration sing

Другие MOSFET... SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , 20N50 , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 .

History: PSMN040-200W | APT8024B2VFR | IXTQ130N15T

 

 
Back to Top

 


 
.