SPD3N80G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD3N80G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 131 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SPD3N80G Datasheet (PDF)
spd3n80g.pdf
SPD3N80G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 850 DS J ID=3A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 4.8DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 22 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 3 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6 gd RoHS compliant Configuration single Applic
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