SPD3N80G Todos los transistores

 

SPD3N80G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD3N80G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO252

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SPD3N80G datasheet

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SPD3N80G

SPD3N80G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 850 DS J ID=3A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 4.8 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 22 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 3 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6 gd RoHS compliant Configuration single Applic

Otros transistores... SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , IRFP450 , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 .

History: APM7332K | FDMQ8203 | 2SK1521 | CS12N60FA9R | DMP2160UW | STM8020 | WMQ30N02T1

 

 

 

 

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