Справочник MOSFET. SPD3N80G

 

SPD3N80G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPD3N80G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SPD3N80G

 

 

SPD3N80G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  cn sinai power
 spd3n80g.pdf

SPD3N80G SPD3N80G

SPD3N80G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 850 DS J ID=3A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 4.8DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 22 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 3 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6 gd RoHS compliant Configuration single Applic

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top