Справочник MOSFET. SPD3N80G

 

SPD3N80G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD3N80G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD3N80G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD3N80G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  cn sinai power
 spd3n80g.pdf pdf_icon

SPD3N80G

SPD3N80G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 850 DS J ID=3A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 4.8DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 22 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 3 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6 gd RoHS compliant Configuration single Applic

Другие MOSFET... SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , IRF1407 , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 .

History: STS19N3LLH6 | RFD3055LESM

 

 
Back to Top

 


 
.