SPD5N50G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD5N50G
Código: 5N50G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 112 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 31.5 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 143 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SPD5N50G Datasheet (PDF)
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SPD5N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=5A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.5DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd RoHS compliant Configuration single Ap
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