SPD5N50G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD5N50G
Código: 5N50G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 31.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
SPD5N50G Datasheet (PDF)
spd5n50g.pdf

SPD5N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=5A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.5DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd RoHS compliant Configuration single Ap
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SQJ260EP | IRFI9630GPBF | NTB5860N
History: SQJ260EP | IRFI9630GPBF | NTB5860N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHFSJ5N65 | DHFSJ17N65 | DHFSJ13N65 | DHFSJ11N65 | DHF9Z24 | DHF90N055R | DHF90N045R | DHF85N08 | DHF8290 | DHF80N08B22 | DHF50N15 | DHF50N06FZC | DHF3N90 | DHF3205A | DHF16N06 | DHF10H037R
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g