SPD5N50G - аналоги и даташиты транзистора

 

SPD5N50G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPD5N50G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD5N50G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD5N50G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:925K  cn sinai power
 spd5n50g.pdf pdf_icon

SPD5N50G

SPD5N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=5A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.5DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd RoHS compliant Configuration single Ap

Другие MOSFET... SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , TK10A60D , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 .

History: AP02N60J-H | AP02N40J-HF | R6030ENZ

 

 
Back to Top

 


 
.