SPE4N65G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPE4N65G
Código: 4N65G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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SPE4N65G Datasheet (PDF)
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SPE4N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=4A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 2.4DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 24 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 4 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 8 gd RoHS compliant Configuration single Appli
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