SPE4N65G - описание и поиск аналогов

 

SPE4N65G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPE4N65G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SPE4N65G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPE4N65G даташит

 ..1. Size:880K  cn sinai power
 spe4n65g.pdf pdf_icon

SPE4N65G

SPE4N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=4A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 2.4 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 24 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 4 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 8 gd RoHS compliant Configuration single Appli

Другие MOSFET... SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , BS170 , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 , TDM31066 , TDM3307A .

History: LSB60R280HT | H10N60E | IXFE39N90 | 2SK1566 | 2SK161

 

 

 

 

↑ Back to Top
.