SPE4N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SPE4N65G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SPE4N65G
SPE4N65G Datasheet (PDF)
spe4n65g.pdf

SPE4N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=4A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 2.4DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 24 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 4 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 8 gd RoHS compliant Configuration single Appli
Другие MOSFET... SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , 18N50 , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 , TDM31066 , TDM3307A .
History: SSP60N06 | SI2369DS-T1 | TPR65R160C | UTT25P10 | JCS15N60CH
History: SSP60N06 | SI2369DS-T1 | TPR65R160C | UTT25P10 | JCS15N60CH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640