SPE7N65G Todos los transistores

 

SPE7N65G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPE7N65G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de SPE7N65G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SPE7N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  cn sinai power
 spe7n65g.pdf pdf_icon

SPE7N65G

SPE7N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=7A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.3 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 6 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 12 gd RoHS compliant Configuration single Appli

Otros transistores... SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , 10N65 , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 , TDM31066 , TDM3307A , TDM3404 .

History: LBSS84WT1G | HMS120N03D

 

 
Back to Top

 


 
.