Справочник MOSFET. SPE7N65G

 

SPE7N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPE7N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SPE7N65G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPE7N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  cn sinai power
 spe7n65g.pdf pdf_icon

SPE7N65G

SPE7N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=7A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.3 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 6 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 12 gd RoHS compliant Configuration single Appli

Другие MOSFET... SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , 10N65 , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 , TDM31066 , TDM3307A , TDM3404 .

History: RQ1E050RPTR | 2SK1476 | IXFT13N100 | LSG50R160HT | BL7N70-P | SIHFBF30S | LSGD04R035

 

 
Back to Top

 


 
.